昨日，总投资240亿美元的国家存储器基地项目一期工程一号生产及动力厂房提前1个月封顶。项目预计明年投产，年产值将超100亿美元。
项目位于光谷东部武汉未来科技城，占地面积1968亩，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体。按照规划，基地将崛起3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash生产厂房。其核心厂房和设备，每平方米投资强度超过3万美元。
紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国在现场表示，该项目实现了中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。
研发人员介绍，无论智能手机、电脑、还是云计算应用，都需要海量数据存储，相比 2D闪存，3D NAND立体堆叠存储技术相当于立体停车场，性能更强，功耗更低，可靠性更高。
提前封顶的核心厂房，建筑面积52.4万平方米。达产后，单月总产能将达到30万片，年产值超过100亿美元。从去年12月30日开工建设到提前封顶，只用了9个月。
2015年，发展存储器上升为国家战略。武汉东湖高新区为国家存储器基地项目规划建设1100亩配套产业园区，以及1500亩国际社区用地，加快引进产业链顶级配套企业及国际化人才，努力打造世界级的集成电路产业创新中心。
千亿战略背后的自主创“芯”梦
图为：昨日，国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房，实现提前封顶。（记者 张朋 摄）
记者 李墨
昨日，一马平川的光谷东。3座全球单体洁净面积最大的3DNANDFlash生产厂房崛起。8个大字格外醒目：自主创“芯”，产业报国。
国家千亿存储器项目的实施，让武汉从“钢的城”，迈向“硅的城”。
“工业粮食”自主供应
集成电路是信息技术产业的核心，被称为“工业粮食”。长江存储科技有限责任公司总裁杨士宁介绍，国家存储器项目瞄准的目标，是实现国家“工业粮食”的自主供应。
目前，我国生产的许多芯片，离世界级技术的差距在2到3代左右。而三维闪存（3DNAND）技术，差距在两代之内，是工艺和技术水平离世界前沿最近的一个产品。
没有自己的存储器芯片，一旦国际上出现贸易封锁，国内手机厂商拿不到进口的存储芯片就会停产。“这不仅关系信息安全，也关系产业安全。”紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国说，在一些关键的集成电路领域，我们必须拥有一定的自主供应能力。
他说，国家存储器基地建设，对于中国信息产业、互联网乃至整个电子工业的发展，不仅将解决现实问题，更将对全球产业局势起到平衡作用。
由于芯片技术迭代极快，存储器基地建设可谓分秒必争。早在2年前，基地尚未启动时，核心研发便已悄悄开始。
项目力争在2019年实现大规模生产，满产后能供应国内50%以上存储芯片需求。杨士宁形容，武汉存储芯片产业正在用3年时间，追赶别人6年走过的路。“如果等厂房建好再开始研发、试产，至少要晚3年。”
拼搏赶超的武汉速度
2016年12月1日，桩基进场。
180天，完成第一根钢梁吊装。
9个月，一期核心厂房封顶。
截至目前，国家存储器项目已累计完成投资85亿元。而这仅仅是用5年时间锻造“大国重器”的开始。
拼搏赶超，不仅仅在紧张的研发中心，也在成百上千的“安全帽”下。
国家存储器基地项目服务专班负责人明铭介绍，开工至今90天，无论日晒雨淋，项目从未停工。为保障按时打下第一根桩，70天迁移迁改输油输气管线10公里。
目前，项目周边未来二路、未来三路、长芯路均已具备通车条件；科技五路正在按计划节点加快施工。
杨士宁说，芯片制造的产业拉动效应约为1：10。作为最大的集成电路单体投资项目，武汉基地投产后的放大效应将会更大。不久的将来，以千亿存储项目为龙头，光谷将打造一个“芯片—显示—智能终端”的万亿产业集群。（记者李墨、通讯员张珊妮、刘刚建）
